Daha düşük bir nominal çalışma sıcaklığı (NOCT) vermek, gölge gölgeleme kayıplarını azaltmak ve dönüşüm verimliliğini artırmak için silikon gofretleri eşit olarak iki veya daha fazla parçaya kesen tahribatsız bir kesme teknolojisi.

her iki tarafta da elektrik üreten bir modül teknolojisi. Güneş ışığı iki yüzeyli bir modüle çarptığında, ışığın bir kısmı çevredeki ortam tarafından modülün arka tarafına yansıtılır ve burada elektrik üretmek için hücre tarafından emilebilir.

Interdigitated Back Contact (IBC), geri temaslı enerji dönüşümü sağlamak için hem ön hem de arka yüzeylerde termal oksit filmle kaplı N tipi silikon gofretler kullanan bir teknolojidir. Hücrenin ön tarafı engelsizdir ve maksimum miktarda güneş ışığını emer.

Tünel Oksit Pasifleştirilmiş Temas hücreleri, taşıyıcıların tek boyutlu uzunlamasına taşınmasını sağlarken, metallerin silikon alt tabaka ile bileşimini azaltarak daha fazla kombine enerji üretimi sağlayan bir hücre yapısına sahiptir.

P-N birleşiminin iki farklı yarı iletken malzemeden oluştuğu İçsel İnce Tabakalı Hetero-junction hücreler. Her iki tarafta da elektrik üretme, düşük sıcaklıkta üretim süreci, yüksek açık devre voltajı ve iyi sıcaklık özellikleri gibi avantajlara sahiptir.

Shingled teknolojisi genellikle silikon gofretleri beş veya daha fazla parçaya böler ve hücreler arasında kesintisiz bir bağlantı elde etmek için düşük sıcaklıkta yapıştırma için esnek bir iletken yapıştırıcı kullanır ve modülün çıkış gücünü önemli ölçüde artırır.